?離子注入設(shè)備用于半導(dǎo)體制造過程中的雜質(zhì)注入工藝。廣泛用作半導(dǎo)體基板的硅晶圓，其原始形態(tài)為絕緣材料，無法通過電流或傳輸電信號。通過從外部向晶圓內(nèi)部注入離子，可以形成具有n型或p型半導(dǎo)體電特性的區(qū)域。

n型半導(dǎo)體是注入了電子較多的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體，p型半導(dǎo)體是注入了空穴較多的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體。需要注意的是，離子注入有時也稱為摻雜或離子注入。

在制作n型半導(dǎo)體時，會使用氮、磷和砷等15族元素的離子。而制作p型半導(dǎo)體時，則會使用硼和鋁等13族元素的離子。離子注入是在通過蝕刻形成電路部分之后進(jìn)行的過程。

晶圓的頂面經(jīng)過蝕刻，用光刻膠將晶圓的暴露表面與受保護(hù)區(qū)域分離。當(dāng)離子注入暴露區(qū)域時，根據(jù)離子的類型，該區(qū)域會變成 n 型或 p 型半導(dǎo)體。